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这家半导体大厂消息不断:扩产4纳米,236层NAND在路上

科技头条 2022-08-19 14:35:12 小梦叶非杨

近日,三星在半导体制程工艺和NAND Flash闪存领域消息不断。

扩产4纳米,Q4每月新增产能2万片

继今年6月抢先宣布量产3纳米工艺之后,市场又有消息称三星计划在第四季度扩产4纳米制程。

据韩国媒体infostockdaily报道,三星4纳米在良率显著提升下,正着手扩产,预计今年第4季每月新增上看2万片产能。

报道称,三星晶圆代工4纳米制程因为良率提升至约六成,因此随客户需求提升而决议扩产,并规划在4纳米豪掷约5万亿韩元投资,欲争取更多高通、超威、英伟达等大厂代工订单。

业界指出,三星集团晶圆代工产能过往约六成提供自家芯片生产,其余承接委外订单,今年持续积极扩产,并扩大承接晶圆代工订单,将自家芯片产能占比降至五成,借此在存储器市况逆风下,提升半导体事业获利。

对于相关消息,三星表示,无法确认产量和投资增加问题。

236层NAND Flash产品在路上

韩国媒体BusinessKorea报导,三星今年将发布236层堆叠NAND Flash快闪存储器产品,还计划本月开设一个新的研发中心,负责更先进NAND Flash产品研发。

当前存储器制造商不断增加NAND Flash堆叠层数,以求更高效益。例如,西数与铠侠计划2022年底前开始量产162层闪存产品。未来,双方还将发力200+层闪存技术,并计划2032年之前陆续推出300+层以上、400+层与500+层闪存技术。

美光科技已于今年7月宣布开发全球首款232层堆叠NAND Flash,产品现已在美光新加坡工厂量产。未来,美光还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。

今年8月初,SK海力士也宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,并计划在2023年上半年正式投入量产。

至于三星,尽管其作为全球最大的NAND Flash厂商,目前市占率高达35%,但研发记录还停留在176层。迫于竞争对手的压力,三星计划凭借生产技术、价格以及性能竞争力,将NAND Flash堆叠层数增加60层。

不过,三星236层堆叠NAND Flash推出的具体时间,还有待后续关注。

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封面图片来源:拍信网

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